ALD114813SCL
Advanced Linear Devices Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | ALD114813SCL |
---|---|
Hersteller / Marke: | Advanced Linear Devices, Inc. |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
50+ | $5.8826 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1.26V @ 1µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 16-SOIC |
Serie | EPAD® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 2.7V |
Leistung - max | 500mW |
Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET-Merkmal | Depletion Mode |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 10.6V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12mA, 3mA |
Konfiguration | 4 N-Channel, Matched Pair |
Grundproduktnummer | ALD114813 |
ALD114813SCL Einzelheiten PDF [English] | ALD114813SCL PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 12V
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
PANASONIC DIP
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
Panason DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
2024/12/17
2024/03/20
2024/01/31
2024/10/23
ALD114813SCLAdvanced Linear Devices Inc. |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|